IC 555를 사용한 벅 부스트 회로

문제를 제거하기 위해 도구를 사용해보십시오





이 게시물은 효율적인 전력 처리 요구 사항과 관련된 다양한 애플리케이션에 사용할 수있는 범용 IC 555 기반 벅-부스트 회로에 대해 설명합니다.

Buck-Boost에 IC 555 사용

워크 호스 IC 555를 사용하는이 매우 효율적이고 효과적인 벅-부스트 회로를 사용하면 입력 소스 전압을 원하는대로 벅 또는 부스트 된 필요한 수준으로 변환 할 수 있습니다.



이 개념의 다양성에 대해 논의한 이전 기사 중 하나를 통해 이미 개념을 포괄적으로 배웠습니다. 벅-부스트 유형의 토폴로지.

아래의 회로도 (확대하려면 클릭)에서 볼 수 있듯이 구성은 기본적으로 상위 벅-부스트 컨버터 단계와 하위 IC 555 PWM 컨트롤러 단계의 두 가지 개별 단계의 조합입니다.



벅-부스트 단계는 스위치처럼 작동하는 MOSFET, 주 전력 변환 부품 인 인덕터, MOSFET과 같은 다이오드가 보완 스위치를 형성하고, 인덕터와 매우 유사한 커패시터가 보완 전력 변환기 장치를 형성하는 것으로 구성됩니다. .

MOSFET은 게이트 전압에 응답하여 인덕터에서 입력 전압을 교대로 켜고 끌 수 있도록 펄스 트리거링을 통해 작동해야합니다.

따라서 게이트 전압은 IC555 PWM 생성 단계를 통해 달성되는 펄스 형태 여야합니다.

회로 작동

관련 IC555 PWM 생성기는 위에서 설명한 작업을 수행하기 위해 MOSFET에 통합됩니다.

MOSFET의 ON 시간 동안 입력 전압은 MOSFET을 통과하여 인덕터에 바로 적용됩니다.

인덕터는 고유 한 특성으로 인해 전력을 흡수하고 저장하여 이러한 갑작스런 전류의 영향에 대응하려고합니다.

MOSFET의 후속 OFF 기간 동안 입력 전압은 MOSFET에 의해 차단되고 인덕터는 이제 피크에서 0으로 급격한 전류 변화를 경험합니다. 이에 대한 응답으로 인덕터는 현재 순방향 바이어스 상태에서 작동하는 다이오드를 통해 출력 단자에 저장된 전력을 역전시킴으로써이를 방지합니다.

인덕터의 위 전력은 의도 한 부하가 연결된 출력에서 ​​반대 극성으로 나타납니다.

커패시터는 전력의 일부를 저장하도록 배치되어 다이오드가 역 바이어스되고 부하에서 전력이 차단 될 때 MOSFET의 ON 시간 동안 부하에서 사용할 수 있습니다.

이것은 MOSFET의 ON 및 OFF 사이클 동안 부하에 걸쳐 안정적이고 안정적인 전압을 유지하기위한 것입니다.

PWM을 컨트롤러로 사용

전압 레벨은 부스트 ​​전압이든 강압 전압이든 MOSFET이 PWM 생성기에 의해 제어되는 방식에 따라 달라집니다.

MOSFET이 OFF 시간보다 높은 ON 시간으로 최적화 된 경우 출력은 부스트 ​​전압을 생성하고 그 반대의 경우도 마찬가지입니다.

그러나 이에 제한이있을 수 있으므로 인덕터의 전체 포화 시간을 초과하는 ON 시간을 초과하지 않도록주의해야하며, OFF 시간이 인덕터의 최소 포화 시간보다 낮아서는 안됩니다.

예를 들어 인덕터가 완전히 포화되는 데 3ms가 걸린다고 가정하면,이 경우 ON 시간은 0 ~ 3ms 이내로 설정할 수 있으며 그 이상은 설정할 수 없습니다. 그러면 선택한 값에 따라 최소에서 최대로 부스트됩니다. 인덕터.

IC555 PWM 발생기와 관련된 포트는 출력에서 ​​원하는 벅-부스트 전압을 획득하기 위해 효과적으로 조정할 수 있습니다.

인덕터 값은 시행 착오의 문제이므로 더 좋고 효율적인 결과와 다양한 범위를 얻기 위해 가능한 한 많은 권선을 통합하십시오.

회로도

벅-부스트 제어 회로

위의 설계는 다음 수정을 통해 자동 출력 전압 보정을 구현하기 위해 적절하게 업그레이드 할 수 있습니다.

1K 프리셋은 원하는 컨트롤 포인트를 결정하기 위해 초기에 적절하게 설정 될 수 있습니다.

IC 555 핀아웃

IC 555 핀아웃


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