우리는 모든 전기 및 전자 회로 , 커패시터는 독특한 중요성을 가지고 있습니다. 이러한 효과는 커패시터 주파수 응답으로 분석 할 수 있습니다. 이것은 더 낮은 주파수와 더 높은 주파수에서 커패시턴스의 효과와 그 리액턴스를 주파수 응답으로 쉽게 분석 할 수 있음을 의미합니다. 여기서 우리는 증폭기의 밀러 효과 및 밀러 커패시턴스의 정의 및 효과.
밀러 효과는 무엇입니까?
밀러 효과 이름은 John Milton miller의 작업에서 가져 왔습니다. 밀러 정리의 도움으로 반전 전압 증폭기의 등가 회로의 커패시턴스는 회로의 입력 및 출력 단자 사이에 추가 임피던스를 배치하여 증가시킬 수 있습니다. 밀러 정리는 회로가 임피던스 (Z), 전압 레벨이 V1 및 V2 인 두 노드 사이를 연결합니다.
이 임피던스가 두 개의 서로 다른 임피던스 값으로 대체되고 증폭기의 주파수 응답을 분석하고 입력 커패시턴스를 증가시키기 위해 동일한 입력 및 출력 단자에 접지 된 경우. 이러한 효과를 밀러 효과라고합니다. 이 효과는 반전 증폭기 .
밀러 커패시턴스의 효과
이 효과는 등가 회로의 커패시턴스를 보호합니다. 더 높은 주파수에서 회로 이득은 이러한 주파수에서 반전 전압 증폭기를 처리하는 것이 복잡한 프로세스이기 때문에 밀러 커패시턴스에 의해 제어되거나 감소 될 수 있습니다.
첫 번째 밀러
반전 전압 증폭기의 입력과 출력 사이에 약간의 커패시턴스가 있으면 증폭기의 이득이 곱해진 것처럼 보입니다. 추가 커패시턴스 양은이 효과로 인해 발생하므로 밀러 커패시턴스라고합니다.
두 번째 밀러
아래 그림은 이상적인 반전 전압 증폭기를 보여줍니다. Vin은 입력 전압이고 Vo는 출력 전압이고 Z는 임피던스이며 이득은 –Av로 표시됩니다. 그리고 출력 전압 Vo = -Av.Vi
이상적인 반전 전압 증폭기
여기서 이상적인 반전 전압 증폭기는 제로 전류를 끌어 들이고 모든 전류는 임피던스 Z를 통해 흐릅니다.
그런 다음 현재 나는 = Vi-Vo / Z
나는 = Vi (1 + Av) / Z
입력 임피던스 Zin = Vi / Ii = Z / 1 + Av .
Z가 임피던스가있는 커패시터를 나타내면 Z = 1 / sC.
따라서 입력 임피던스 문장 = 1 / sCm
여기 Cm = C (1 + Av)
CM- 밀러 커패시턴스.
IGBT의 밀러 효과
에서 IGBT (절연 게이트 바이폴라 트랜지스터) ,이 효과는 그 구조 때문에 발생합니다. 아래 IGBT 등가 회로에서 두 개의 커패시터는 직렬 형태입니다.
IGBT에서 밀러 효과
첫 번째 커패시터 값은 고정되어 있고 두 번째 커패시터 값은 드리프트 영역 영역의 폭과 컬렉터 이미 터 전압에 따라 달라집니다. 따라서 밀러 커패시턴스를 통해 변위 전류를 유발하는 Vce의 모든 변화. 공통 기반 & 공통 컬렉터 증폭기 밀러의 효과를 느끼지 못할 것입니다. 이 증폭기에서는 커패시터 (Cu)의 한쪽이 접지에 연결되기 때문입니다. 이것은 밀러의 효과를 없애는 데 도움이됩니다.
따라서이 효과는 주로 회로의 입력 노드와 출력 노드 사이에 임피던스를 배치하여 회로 커패시턴스를 높이는 데 사용됩니다. 그런 다음 추가 커패시턴스가 밀러 커패시턴스로 처리됩니다. 밀러의 정리는 모든 3 단자 장치에 적용됩니다. FET에서 게이트-드레인 커패시턴스는이 효과에 의해 증가 될 수 있습니다. 그러나 광대역 회로에서는 문제가 될 수 있습니다. 커패시턴스가 증가하면 대역폭이 감소합니다. 그리고 협 대역 회로에서 밀러 효과 조금 적습니다. 이것은 약간의 수정으로 개선 될 필요가 있습니다.
