고출력 250W MosFet DJ 증폭기 회로

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이 기사에서 제공하는 강력한 DJ MOSFET 앰프 회로 설계는 구축하기가 상당히 쉬우 며 4 옴 라우드 스피커에 250 와트의 음악을 만들어 낼 것입니다. 출력에서 HEXFET를 사용하면 엄청난 전류 및 전압 증폭이 보장됩니다.

이 250 와트 MOSFET 증폭기 회로의 출력 단계에서 MOSFET 또는 HEXFET를 사용하면 전압과 전류를 모두 효율적이고 효율적으로 증폭 할 수 있습니다. 이 회로는 특히 낮은 왜곡, 외부 오프셋 전압 및 대기 전류 조정과 같은 인상적인 기능을 보여줍니다.



앰프 입력단

250W MosFet 증폭기 회로

증폭기 전력 출력 단계

250W MosFet 스피커 출력

회로 기능

이 뛰어난 250W MOSFET 앰프 회로는 콘서트, 파티, 개방 된 그라운드 등에서 DJ 앰프로 사용할 수 있습니다. 대칭적인 디자인은 무시할 수있는 왜곡을 생성합니다. 회로 세부 사항을 분석해 보겠습니다.

회로도를 참조하면 입력 단계가 주로 두 개의 차동 증폭기로 구성되어 있음을 알 수 있습니다. 블록 T1과 T2는 실제로 하나의 패키지에서 쌍을 이루는 쌍을 이루는 이중 트랜지스터이지만 개별 트랜지스터를 사용할 수 있습니다. hF가 제대로 일치하는지 확인하기 만하면됩니다. NPN 및 PNP 유형에 각각 BC 547 및 BC 557 두 개를 사용합니다.



차동 구성은 아마도 두 신호를 통합하는 완벽한 방법 일 것입니다. 예를 들어 여기에서는 입력 신호와 피드백 신호가 매우 효율적으로 혼합됩니다.

일반적으로 T1의 컬렉터 / 이미 터 저항 비율이이 단계의 증폭을 결정합니다.
T1 및 T2에 대한 DC 작동 기준은 관련 LED와 함께 두 개의 트랜지스터 T3 및 T4로부터 수신됩니다.

위의 LED / 트랜지스터 네트워크는 또한 주변 온도 변화에 거의 영향을받지 않기 때문에 입력 단계에 정전류 소스를 제공하는 데 도움이되지만, LED / 트랜지스터 쌍은 함께 접착하거나 적어도 매우 가까이 납땜해야합니다. PCB 위에 서로.

커플 링 커패시터 C1 직후, R2, R3 및 C2로 구성된 네트워크는 효과적인 저역 통과 필터를 형성하고 대역폭을 증폭기에 적합한 수준으로 유지하는 데 도움을줍니다.
1M 프리셋과 2M2 저항 2 개를 포함하는 입력의 또 다른 소규모 네트워크는 증폭기 출력의 DC 구성 요소가 제로 전위를 유지하도록 오프셋 전압을 조정하는 데 도움이됩니다.

차동 단계 후 T5 및 T7로 구성된 중간 드라이버 단계가 도입됩니다. T6, R9 및 R17로 구성된 구성은 일종의 가변 전압 조정기를 형성하여 회로의 대기 전류 소비를 설정하는 데 사용됩니다.

위 단계에서 증폭 된 신호는 T8 및 T9로 구성된 드라이버 단계로 이동하며, 이는 신호가 궁극적으로 대량 전류 및 전압 증폭을 겪는 HEXFET T10 및 T11을 포함하는 출력 전력 단계를 구동하는 데 효과적으로 사용됩니다.

다이어그램에서 T10은 p- 채널이고 T11은 n- 채널 FET임을 명확하게 식별 할 수 있습니다. 이 구성을 사용하면이 단계에서 전류와 전압을 모두 효율적으로 증폭 할 수 있습니다. 전체 증폭은 R22 / R23의 피드백 배선과 R8 / C2로 인해 3 개로 제한됩니다. 이 제한은 출력에서 ​​낮은 왜곡을 보장합니다.

바이폴라 트랜지스터와 달리 여기에서 HEXFET를 통합하는 출력 스테이지는 오래된 카운터 부품에 비해 뚜렷한 이점이 있습니다. 양의 온도 계수 장치 인 HEXFET 케이스 온도가 너무 뜨거워지는 경향이 있기 때문에 드레인 소스를 제한하는 고유 한 특성이있어 열 폭주 상황에서 장치를 보호하고 타 버립니다.

저항 R26 및 직렬 커패시터는 고주파수에서 라우드 스피커의 상승 임피던스를 보상합니다. 인덕터 L1은 순간적으로 상승하는 피크 신호로부터 라우드 스피커를 보호하기 위해 배치됩니다.

부품 목록

  • R1 = 100K
  • R2 = 100K
  • R3 = 2K
  • R4,5,6,7 = 33 E
  • R8 = 3K3,
  • R9 = 1K PRESET,
  • R10,11,12,13 = 1K2,
  • R14,15 = 470E,
  • R16 = 3K3,
  • R17 = 470E,
  • R18,19,21,24 = 12E,
  • R22 = 220, 5 와트
  • R20,25 = 220E,
  • R23 = 56E, 5 와트
  • R26 = 5E6, ½ 와트
  • C1 = 2.2uF, PPC,
  • C2 = 1nF,
  • C3 = 330pF,
  • C6 = 0.1uF, mkt,
  • T3 = BC557B,
  • T4 = BC547B,
  • T7,9 =
    TIP32,
  • T5,6,8 = TIP31,
  • T10 = IRF9540,
  • T11 = IRF540,
핀아웃이있는 160W 완전한 증폭기 설계

위에서 설명한 250W 전력 증폭기의 대체 버전은 구성 요소에 대한 모든 세부 정보가 포함 된 다음 다이어그램에서 볼 수 있습니다.




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