2N3055는 100V 및 15A 범위의 고전력 부하를 처리하도록 설계된 전력 바이폴라 트랜지스터입니다.

이 게시물에서는 전력 트랜지스터 2N3055의 핀아웃 기능, 전기 사양 및 애플리케이션 설계에 대해 포괄적으로 논의합니다.

전자 애호가라면이 매우 유용하고 효율적인 전력 트랜지스터를 실험에서 적어도 한 번은 사용했을 것입니다. 나는 많은 고전류 회로 애플리케이션에서 문제없이 2N3055 트랜지스터를 여러 번 사용했습니다.

주요 특징

DC 전류 이득 또는 hFE = 20 −70 @ IC = 4A (콜렉터 전류)
콜렉터-이미 터 포화 전압-V_{EC (마을)}= 1.1 Vdc (최대) @ IC = 4 Adc
뛰어난 안전 작동 영역
무연 패키지로 사용 가능

핀아웃 다이어그램

핀아웃 연결 방법

다른 npn BJT와 마찬가지로 2N3055 연결도 매우 간단합니다. 에서 공통 이미 터 가장 자주 사용되는 구성 인 모드에서 이미 터 핀은 접지선 또는 음극 공급선에 연결됩니다.

베이스는 트랜지스터를 켜거나 끄는 데 필요한 입력 신호를 통해 연결됩니다. 이 입력 스위칭 신호는 이상적으로 1V에서 12V 사이의 어느 곳에서나 가능합니다. 계산 된 저항은 트랜지스터의 기본 핀아웃과 직렬로 포함되어야합니다.

기본 저항 값은 트랜지스터의 컬렉터 핀에 부착 된 부하 사양에 따라 달라집니다. 기본 공식을 공부할 수 있습니다 이 기사에서 .

컬렉터 핀은 부하의 한 단자에 연결해야하며 다른 단자는 양극 공급 라인에 연결해야합니다. 부하 전류 사양은 전류가 항복 한계에 도달하는 것을 방지하기 위해 15A 미만, 실제로 14A 미만이어야합니다.

2N3055 트랜지스터의 최대 정격 및 사양

최대 등급은 장치에 영구적 인 손상이 발생할 수있는 허용 가능한 가장 높은 값입니다. 장치에 지정된 이러한 등급은 특정 장치에 대한 스트레스 한계 값 (표준 작동 기준이 아님)이며 동시에 유효하지 않습니다.

이러한 제한을 초과하면 장치가 표준 사양으로 작동하지 않아 장치에 심각한 손상을 입히고 신뢰성 매개 변수에도 영향을 미칠 수 있습니다.

이미 터 전압 V에 대한 콜렉터_천국= 70Vdc
콜렉터-베이스 전압 V_CB= 100Vdc
이미 터-베이스 전압 V_EB= 7Vdc
연속 콜렉터 전류 I_씨= 15 Adc
베이스 전류 I_비= 7 Adc
총 전력 손실 @ TC = 25 ° C 25 ° C 이상에서 감소 PD = 115W @ 0.657W / ° C
작동 및 보관 접합 온도 범위 TJ, Tstg = − 65 ~ +200 ° C

2N3055의 열 특성

접합부에서 케이스로의 열 저항 R0JC = 1.52 C / W

2N3055의 전기적 특성 (달리 명시되지 않는 한 TC = 25 C)

장치가 꺼져있을 때의 특성

Collector-Emitter Sustaining Voltage at Collector current IC = 200 mAdc, I_비= 0) V_{CEO (자신의)}= 60 Vdc
Collector-Emitter Sustaining Voltage at Collector 전류 IC = 200 mAdc, R_있다= 100 fi) V_{CER (자신의)}= 70Vdc
콜렉터 컷오프 전류 (V_이= 30 Vdc, I_비= 0) 나_{최고 경영자}= 0.7mA
콜렉터 컷오프 전류 (V_이= 100Vdc, V_꺼져)= 1.5 Vdc) 나_exc= 1.0mA
이미 터 차단 전류 (V_있다= 7.0Vdc, I_씨= 0) 나_EBO= 5.0mA

장치가 켜져있을 때의 특성

DC 전류 이득 (I_씨= 4.0 Adc, V_이= 4.0 Vdc) (I_씨= 10 Adc, V_이= 4.0 Vdc) hFE = 20에서 70
콜렉터-이미 터 포화 전압 (I_씨= 4.0 Adc, I_비= 400mAdc) (I_씨= 10 Adc, I_비= 3.3 Adc) V_{EC (마을)}= 1.1 ~ 3Vdc
Base-Emitter On 전압 (IC = 4.0 Adc, V_이= 4.0Vdc) V_{BE (켜짐)}= 1.5Vdc

역동적 인 특성

“모바일의 나침반 자력계 센서 ”

전류 이득-대역폭 곱 (I_씨= 0.5 Adc, V_이= 10Vdc, f = 1.0MHz) fT = 2.5MHz
* 소 신호 전류 이득 (I_씨= 1.0 Adc, VCE = 4.0 Vdc, f = 1.0 kHz) hfe = 15에서 120
* 소 신호 전류 이득 컷오프 주파수 (VCE = 4.0Vdc, I_씨= 1.0 Adc, f = 1.0kHz) f hfe = 10kHz
* JEDEC 등록 내를 나타냅니다. (2N3055)

트랜지스터에는 전력 처리 능력 측면에서 몇 가지 제한 사항이 있습니다.

평균 접합 온도
고장 전압

안전한 작동 영역 곡선은 I_씨- V_이안정적이고 오류없는 작동을 보장하기 위해주의해야하는 2N3055 트랜지스터의 한계. 즉, 트랜지스터는 곡선 트레이스에서 권장하는 것보다 증가 된 손실 수준으로 작동해서는 안됩니다.

아래 그림에 주어진 데이터 TC = 25 ° C TJ (pk)는 전력 레벨에 따라 가변적입니다.

두 번째 항복 펄스 경계는 최대 10 %의 듀티 사이클에 적합하지만 다음 그림에 표시된대로 온도에 대해 감소해야합니다.

2N3055를 사용하는 애플리케이션 회로

2N3055는 모든 중전 력 (전류) 전달 회로에 효과적으로 적용될 수있는 다목적 NPN 전력 트랜지스터입니다. 이러한 애플리케이션 중 몇 가지 주요 분야는 인버터 및 전력 증폭기 분야입니다. 비교적 높은 hFE 범위로 인해이 장치는 고전류를 효율적으로 처리하기 위해 다양한 회로에서 사용할 수 있습니다.

금속 TO3 케이스는 빠르게 냉각되는 대형 방열판을 빠르고 쉽게 부착하여 장치가 가장 유리한 조건에서 작동하도록하는 데 이상적입니다.

나는 많이있다 2N3055 기반 회로 이 웹 사이트에서 몇 가지를 여기에 소개하게되어 기쁩니다.

단일 2N3055를 사용하는 증폭기 회로

회로는 단일 2N3055 BJT를 사용하여 구축 할 수있는 가장 기본적인 형태의 전력 증폭기입니다.